晶圓代工廠近來(lái)積極布局第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)，除龍頭廠臺(tái)積電已提供6英寸GaN-on-Si(硅基氮化鎵)晶圓代工服務(wù)外，世界先進(jìn)GaN制程也預(yù)計(jì)年底送樣，聯(lián)電同樣積極投入GaN制程開發(fā)，攜手子公司聯(lián)穎布局高效能電源功率元件市場(chǎng)。

聯(lián)電表示，GaN制程開發(fā)是現(xiàn)有研發(fā)計(jì)劃中的重點(diǎn)項(xiàng)目之一，目前與轉(zhuǎn)投資公司砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠聯(lián)穎合作，仍處于研發(fā)階段，初期將以6英寸晶圓代工服務(wù)為目標(biāo)，未來(lái)也會(huì)考慮邁向8英寸代工。

聯(lián)穎是聯(lián)電持股81.58%子公司，為其新投資事業(yè)群的一員，提供6英寸砷化鎵晶圓代工服務(wù)，終端產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域包括手機(jī)無(wú)線通訊、微波無(wú)線大型基地站、無(wú)線微型基地臺(tái)、物聯(lián)網(wǎng)、國(guó)防航太、光纖通信、光學(xué)雷達(dá)，及3D感測(cè)元件等。

目前營(yíng)運(yùn)持續(xù)虧損，去年虧損新臺(tái)幣2.79億元，今年首季則虧損新臺(tái)幣861萬(wàn)元。

目前包括臺(tái)積電、漢磊投控集團(tuán)的晶圓代工廠漢磊科，6英寸GaN-on-Si晶圓代工制程均已量產(chǎn)；臺(tái)積電今年2月也宣布結(jié)盟意法半導(dǎo)體，意法將采用臺(tái)積電的GaN制程技術(shù)，生產(chǎn)氮化鎵產(chǎn)品，加速先進(jìn)功率氮化鎵解決方案開發(fā)與上市，攜手搶攻電動(dòng)車市場(chǎng)商機(jī)。

世界先進(jìn)在GaN材料上已投資研發(fā)4年多，與設(shè)備材料廠Kyma、及轉(zhuǎn)投資GaN矽基板廠Qromis攜手合作，著眼開發(fā)可做到8英寸的新基底高功率氮化鎵技術(shù)GaN-on-QST，今年底前將送樣客戶做產(chǎn)品驗(yàn)證，初期主要瞄準(zhǔn)電源相關(guān)應(yīng)用。 

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引用自: 電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)

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