5月27日，華潤微電子有限公司代工事業(yè)群旗下的無錫華潤上華科技有限公司與成都銳成芯微科技股份有限公司宣布，雙方聯(lián)合推出高可靠性eFlash解決方案， 該方案基于華潤上華0.153μm 5V EN CMOS工藝，并具有獨特的成本優(yōu)勢。

華潤上華0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺由華潤上華上一代明星工藝平臺（0.18μm EN CMOS工藝平臺）優(yōu)化而來。優(yōu)化后的工藝成本大大縮減，在未增加光刻層次的情況下，將N/P MOS溝道尺寸縮小到極致，其器件種類多樣，適用于MCU、LED顯示屏、音頻功放、DC-DC等多種應用場景。

成都銳成芯微的LogicFlash? IP具有顯著的市場競爭優(yōu)勢，成本優(yōu)、性能高、可靠性高，并兼容標準CMOS 平臺。基于華潤上華0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺，成都銳成芯微能同時提供高可靠性和高密度兩個版本的LogicFlash? IP，高密度版本擦寫次數(shù)可達10K，高可靠性版本擦寫次數(shù)可達50K。

兩款I(lǐng)P讀取速度可達25MHz，寫入速度可達20μS/byte（超快的寫入速度可滿足終端客戶各種應用場景下對高速讀寫的需求，并有效降低客戶測試成本）；兩款I(lǐng)P可在150℃ 結(jié)溫下工作，滿足125℃ 結(jié)溫下10年的數(shù)據(jù)保持能力的要求，同時滿足消費類和工業(yè)類產(chǎn)品需求。

基于華潤上華0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺，成都銳成芯微已完成高密度版本LogicFlash? IP的功能、性能和1000小時可靠性測試，以及高可靠性版本LogicFlash? IP的功能測試。目前，兩個版本的IP均有客戶使用并成功導入量產(chǎn)，客戶反饋該技術(shù)方案相比其他解決方案具有高性價比、高靈活性等特點。

華潤上華設(shè)計服務工程中心總監(jiān)王浩表示：“0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺是華潤上華近些年重點打造的基礎(chǔ)工藝平臺，其關(guān)鍵工藝參數(shù)（On-BV、ESD、Rdson）在業(yè)界處于領(lǐng)先地位。華潤上華具備極具市場競爭力的數(shù)字單元庫（縮小到60%）和SRAM（縮小到58%）。

據(jù)市場調(diào)研，公司發(fā)現(xiàn)其核心客戶應用領(lǐng)域從功能單一的ASIC芯片向智能化可編程化的MCU類芯片發(fā)展，eNVM是MCU類芯片不可或缺的核心IP。

此次與成都銳成芯微的合作，補齊了華潤上華0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺缺少核心eNVM IP的短板，為客戶提供了更高價值的服務，能夠幫助客戶提高產(chǎn)品競爭力。”

成都銳成芯微首席執(zhí)行官向建軍表示：“成都銳成芯微一直致力于eNVM IP的開發(fā)，通過不斷加大研發(fā)投入，優(yōu)化設(shè)計，確保在保持高性能的條件下，不斷提升成本競爭力，滿足客戶對于eNVM IP的多樣性需求。

此次和華潤上華在0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺的合作，也是為了更好地滿足市場需求，為全球客戶提供極具成本優(yōu)勢的高性能eNVM 技術(shù)?！?nbsp;

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引用自: 成都銳成芯微科技股份有限公司

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